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铟镓砷（InGaAs）探测器：短波红外探测的核心器件铟镓砷探测器是基于 Ⅲ-Ⅴ 族半导体材料的短波红外光电传感器，凭借优异的光谱响应特性，成为近红外、短波红外探测领域的主流产品，广泛扎根通信、工业检测、光电科研等赛道。 一、探测原理与光谱优势铟镓砷依靠光生伏特效应实现光电转换：0.9～1.7μm 波段红外光子射入芯片，能量冲破材料禁带，激发产生电子 - 空穴对，在内电场作用下生成光电流，完成光信号向电信号的转化。对比硅探测器（最高探测 1.1μm），InGaAs 标准探测区间覆盖900～1700nm，恰好囊括光纤通信 1310nm、1550nm 两大主流窗口；调整铟镓配比，探测波长还可拓展至 2.5μm，适配更多特殊红外探测场景。 二、产品核心特点
产品分为单点光电二极管与面阵焦平面探测器两类，单点多用于光纤收发、激光测距，面阵芯片可集成短波红外相机，实现红外成像探测。 三、主流应用场景
四、行业发展小结随着激光雷达、近红外成像、量子通信产业快速扩容，铟镓砷探测器持续朝着小型化、高分辨率、宽光谱方向迭代，已是短波红外光电系统不可替代的关键元器件，市场应用空间稳步扩容。 |
