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硅微条探测器
描述硅微条探测器中的耗尽电压。与采用相同基板制成的平面型二极管相比，硅微条探测器的耗尽电压较大。对于微条间距 P 和微条扩散宽度 W，P 越大或 W/P 越小，耗尽电压将会越大。 交流读出式硅微条探测器可以支持哪些偏置电阻值？偏置电阻由多晶硅电阻器形成，可根据需要在几百千欧至几十兆欧（产品定制）的范围内进行调节。 交流读出式硅微条探测器可以支持哪些耦合电容值？耦合电容由微条扩散层和铝读出电极之间的绝缘膜（耦合膜）决定。该电容可以根据需要在约 120 pF/mm2 至 180 pF/mm2（产品定制）的范围内进行调节，耦合膜耐受电压越高，实现较大耦合电容的难度越大。例如，假设耦合膜耐受电压为 100 V，则耦合电容将为约 140 pF/mm2 或更低。 |
